这项研究为石墨烯的CVD生长中的气相反应工程学提供了新的见解，交付从而获得了高质量的石墨烯薄膜，交付并为大规模生产具有改进性能的石墨烯薄膜铺平了道路，为将来的应用铺平了道路。

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（c）使用刮涂法沉积碳电极，湖核并在80°C下固化干燥。其中，心区西侧Cu掺杂能够增加吸光层中的空穴浓度，是目前高效CdTe太阳能电池的主流技术。片区该工作为碲化镉太阳能电池中Cu的掺杂提供了新的思路。

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更重要的是，目交这种低成本、目交低温的V族元素扩散掺杂工艺与传统的Cu掺杂工艺兼容，因此可方便地与生产线集成，从而进一步使CdTe基太阳能电池技术在市场上更具竞争力。

最终获得了开路电压（VOC）高达863mV的V族掺杂CdSeTe太阳能电池，交付高于Cu掺杂器件的852mV。科学家辞职、安动抗议也不是头一回了。

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